NAND 闪存

SLC NAND

SLC NAND 的吞吐量超过 MLC 和 TLC NAND，且 P/E 循环寿命高达 100,000 次。兼容 ONFI 同步接口。

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Futuristic car interior with digital displays showcasing Micron NAND flash memory applications

MLC NAND

密度是 SLC NAND 的两倍，每比特成本更低，具有稳定的性能和较长的使用寿命。兼容 ONFI 同步接口。

查看 MLC NAND 产品

TLC NAND

与 SLC 或 MLC NAND 相比，TLC NAND 在相同体积下提供更高的密度和更低的成本。

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QLC NAND

QLC 是 TLC 的增强版，可满足市场对读取密集型工作负载日益增长的需求。

查看 QLC NAND 产品

美光 G9：拥有划时代速度的 TLC NAND^1、2

出色的性能和密度，可加速 AI 等应用在客户端、数据中心、移动和汽车存储领域的发展。

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美光率先出货 200+ 层 QLC NAND³

美光连续两次率先向 OEM 和存储领域领军企业出货层数和密度在全球范围内均名列前茅的 QLC NAND。美光 232 层 QLC NAND 支持高达 2400 MT/s 的业界前沿 I/O 性能，有助于加速 QLC NAND 的普及。³

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在全球率先推出 232 层 TLC NAND

美光业界前沿的 232 层 3D NAND 为新一轮端到端技术创新奠定了基础。

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特色资源

选择合适的 NAND

美光提供全系列 NAND 产品，可满足各类解决方案的存储需求。

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并行 NAND 系统功率计算器

美光的 NAND 计算器工具用于估算每个主机通道的 NAND 电流/能量功耗，以及系统总 NAND 能量功耗。

参见功率计算器

技术说明

查看并参考 NAND 相关技术说明的主题列表

查看 NAND 技术说明

SLC NAND 交叉参考工具

此 SLC NAND 交叉参考工具用于比较美光产品与其他竞争厂商的产品。

参见交叉参考工具

1. 竞争厂商包括 SK 海力士、Solidigm、Kioxia、WD 和三星半导体。

2. 性能和设计的比较基于竞品发布时的公开信息。

3. NAND 的比较结果基于当前在产 NAND 产品发布时公开的信息以及美光的工程数据，比较产品来自 SK 海力士、Solidigm、Kioxia、WD 和三星半导体。

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