数据中心服务器、存储和内存解决方案

目前美光 DDR5 的有效带宽为 DDR4 的 2 倍，可充分发挥新一代服务器和客户端处理器的性能潜力。DDR5 将使当前和未来的数据中心处理器能够在核心数量不断增加的情况下维持每核心带宽。与 DDR4 相比，DDR5 采用的新 DRAM 方法和技术（例如两倍内存条数和内存组数、两倍突发长度，以及判决反馈均衡 (DFE) 机制）均有助于实现更高的数据传输速率，并能够在未来数年内持续提升性能。

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DDR4 是更好的一代 DRAM 主流技术，其新功能以省电、性能提升、生产能力和可靠性提升为中心。这些新功能可为企业、云、超薄本、平板电脑、汽车和嵌入式产品等市场提升性能、生产能力、可靠性和堆叠能力，并降低功耗。DDR4 的数据速率高达 3200 MT/s，工作电压为 1.2v，还有其他省电功能，与 DDR3 相比，可使性能提升 50% 之多，并实现高达 25% 的总体能源节省。

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NVDIMM 专为对停机时间颇为敏感，且需要高性能来支持频繁访问大型数据集的应用而设计，将 DRAM 的速度、NAND 的持久存储和可选电源结合到单个内存子系统中，提供更高的系统性能和可靠性。NVDIMM 尤为适用于大数据分析、存储设备、RAID 缓存、内存数据库和在线交易处理。

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高性能 - 高密度 - 可靠性

实施低负载 DIMM (LRDIMM) 可增加每个通道的 DIMM 数量，还可提高系统的内存容量和速度。美光 LRDIMM 使用专门设计的缓冲区将数据负载减少为单负载（相当于一个 8 列 DIMM），而标准 RDIMM 的双列和四列版本会呈现多负载，且会限制可加载到数据总线的数据量。

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高速度 - 性能可扩展 - 低延迟

探索更完整的高性能、高带宽内存产品组合。美光重新设计了内存，以加速下一代显卡和游戏机、高性能计算、人工智能系统，以及专业的可视化工作站。

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高密度 - 经济高效

美光的 3D NAND 技术采用创新的制程架构，能提供相当于平面 NAND 技术三倍的容量，且具有更佳性能和可靠性。

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