NAND 闪存

QLC NAND 闪存

美光的 232 层四层单元 (QLC) NAND 是一项突破性成就，为 OEM 客户提供了更高的 QLC NAND 闪存层数和存储密度。这款 NAND 拥有出众的密度和出色的性能，提供比以往更高的存储容量和更大的设计灵活性。¹

详细信息

连续刷新行业纪录！

继率先推出存储密度出众的 176 层 QLC NAND 之后，美光再次推出全球首款 232 层 QLC NAND。¹该款 QLC 产品采用业界前沿的替换栅极架构，可提供更高的存储密度，支持客户端、移动设备、汽车、数据中心和企业存储领域的广泛用例，其特性包括：

美光 2500 NVMe^™ SSD 是全球首款基于 232 层 QLC NAND 的 PCIe 4.0 NVMe SSD，¹可提供出色的用户体验和日常计算性能。²

了解详情

更高的密度
与此前技术相比，QLC 的每个单元可存储更多位数，从而提高了密度和成本效益。美光利用业界前沿架构，率先发布全球首款 232 层 QLC NAND，实现了比竞品更高的存储密度及更短的存取时间，进一步提升了这些优势。^1,2

高性能
I/O 速度高达 2400 MT/s，与上一代 176 层 QLC NAND 相比，读取性能提高 24%，写入性能提高 31%。^1,2

高密度，小尺寸
为 OEM 制造商带来高于竞品 QLC NAND 的每平方毫米可存储字节数，空间更小，但容量更大，可满足客户端设备及大容量数据中心存储的需求。²

1. 竞争厂商包括 SK 海力士、Solidigm、Kioxia、WD 和三星。

2. 用户体验得分基于美光实验室所做的 PCMark 10 测试。性能比较基于 SSD 竞争厂商（详见脚注 1）发布产品时公开的数据表信息。

3. NAND 的比较基于当前在产 NAND 产品（详见脚注 1）发布时公开的信息以及美光的工程数据。