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    NAND 闪存

    176 层 NAND 闪存

    美光在 176 层 3D NAND 领域的优势地位为端到端存储技术创新奠定了重要基础。

    176 层的创新

    美光 176 层 NAND 是众多行业技术人员工具箱中不可或缺的强大基础工具。它具有以下优势，可帮助您提高竞争优势：

    特有技术

    结合采用了替换栅极架构、电荷阱技术和 CMOS 阵列下 (CuA) 设计。

    更高性能

    读写速度提高 25% 1意味着启动更快，应用程序响应能力更强。

    广泛的应用和部署选择

    提供多种接口、容量、外形尺寸以及 TLC（三层单元）或 QLC（四层单元）选择，任何移动、汽车、客户端、消费和数据中心应用均可找到合适的解决方案。

    176 层：从客户端到云端的创新

    美光过渡到下一代 3D NAND 替换栅极技术

    美光的替换栅极 NAND 通过减少单元间电容耦合问题，并利用金属控制栅极减小电阻，成为尖端高容量数据存储系统的一部分，可提供快速、平稳、卓越的性能。

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    当前 NAND 与 RG NAND 之间的物理差异

    特色资源

    1. 比较结果基于美光的 128 层替换栅极 NAND。